[发明专利]一种三维闪存及其制作方法

摘要

本申请提供一种三维闪存及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，形成掩膜板，所述掩膜板位置和大小与所述第一膜层待形成图案的掩膜板的位置和大小相同；进行第一刻蚀，刻蚀深度为M×a，M≥INT(N)+1；将所述掩膜板的边缘修整缩小一个所述台阶的宽度；进行第二刻蚀，刻蚀深度为a；重复上面两个步骤，直至所述第一膜层被刻蚀完。本发明三维闪存制作方法，通过改变台阶和第一膜层上图案制作过程中的刻蚀顺序，从而使得最下面的厚度较厚的第一膜层与形成台阶的厚度较薄的第二膜层能够采用同一张掩膜板形成，从而节省了第二膜层刻蚀过程中的掩膜板的使用，进而降低了三维闪存制作成本。

主权项

1.一种三维闪存制作方法，其特征在于，包括：A：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括衬底、位于所述衬底上的第一膜层和位于所述第一膜层背离所述衬底表面的多个第二膜层，其中，多个所述第二膜层厚度相同为a，所述第一膜层的厚度为b，其中，b＝N×a，N>1；B：形成掩膜板，所述掩膜板位置和大小与所述第一膜层待形成图案的掩膜板的位置和大小相同；C：进行第一刻蚀，刻蚀深度为M×a，M≥INT(N)+1，其中，INT(x)为取整函数，指不超过实数x的最大整数；D：将所述掩膜板的边缘修整缩小一个台阶的宽度；E：进行第二刻蚀，刻蚀深度为a；重复步骤D和步骤E，直至所述第一膜层被刻蚀完。