[发明专利]一种多晶硅薄膜的沉积方法

摘要

本发明提供一种多晶硅薄膜的沉积方法，采用垂直管式炉以硅烷为反应气体进行多晶硅薄膜的沉积，在沉积时，最底部的喷嘴和最顶部喷嘴的气体流量基本相同且流量大于中部喷嘴的气体流量，中部喷嘴的气体流量自下至上依次增大。由于反应气体自下而上流动且在流动中被逐步消耗，中部喷嘴的气体流量依次增大，对流动过程中消耗的气体进行了补偿，使得晶片之间的均匀性提高，此外，增大最顶端的气体流量，降低反应产生的氢气带来的分压，进一步提升顶部晶片内多晶硅薄膜的均匀性，从而，使得晶片之间以及晶片内的多晶硅薄膜的均匀性得到全面的提高。

主权项

1.一种多晶硅薄膜的沉积方法，采用垂直管式炉以硅烷为反应气体进行多晶硅薄膜的沉积，垂直管式炉中设置有自下至上依次排布的多个喷嘴，其特征在于，所述方法包括：沉积时最底部的喷嘴和最顶部喷嘴的气体流量基本相同且流量大于中部喷嘴的气体流量，中部喷嘴的气体流量自下至上依次增大；对于最顶部喷嘴之外的其他喷嘴，从下至上相邻的喷嘴的气体流量之差依次增大；沉积时的压力值小于或等于0.08torr；垂直管式炉中自下至上设置有多个温度控制点，顶部两个温度控制点的实际温度低于其他温度控制点的实际温度，且自下至上温度控制点的实际温度依次减小。