[发明专利]一种沟道孔的检测方法有效
| 申请号： | 201710772382.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507787B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 曾最新;赵祥辉;胡军;章诗;陈保友 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种沟道孔的检测方法，该方法包括：提供测试晶片，所述测试晶片包括衬底、所述衬底上的堆叠层以及所述堆叠层中的沟道孔，所述堆叠层由氮化硅层与氧化硅层间隔层叠而成，在所述沟道孔中形成填充层，去除部分厚度的所述堆叠层以及填充层，使得所述填充层与所述堆叠层的表面基本齐平，以获得所述堆叠层上的检测层，进行所述检测层上沟道孔的测量。通过这种方法，可以快速、全面地对已成型的沟道孔进行检测，能够实现多个孔的同时检测，并且能够立体的对沟道孔在不同层的质量进行检测，提高了研发进度，减少工艺异常带来的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种沟道孔的检测方法，其特征在于，包括：提供测试晶片，所述测试晶片包括衬底、所述衬底上的堆叠层以及所述堆叠层中的沟道孔；所述堆叠层由氮化硅层与氧化硅层交替层叠而成；在所述沟道孔中形成填充层；去除部分厚度的所述堆叠层以及所述填充层，使得所述填充层与所述堆叠层的表面基本齐平，以获得所述堆叠层中的检测层；进行所述检测层中的沟道孔的测量。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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