[发明专利]一种三维存储器及其读取方法和读取电路有效
| 申请号： | 201710772578.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507647B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;靳磊;姜丹丹;邹兴奇;张瑜;张城绪;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C7/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器及其读取方法和读取电路，所述三维存储器包括存储串阵列，所述存储串阵列包括多个存储串，且所述存储串包括串联的多个存储单元，在对三维存储器读取过程中，控制未选中存储串中的预设存储单元在输入验证电压后产生的耦合电势，与未选中存储串中其余存储单元在输入串导通电压后产生的耦合电势之间电势差在预设范围内，使得未选中存储串中的各区域电势较为均衡，改善电子由电势低的预设存储单元向相邻电势高的存储单元流动的情况，进而改善预设存储单元出现热载流子注入效应的情况，提高三维存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 读取 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的读取方法，所述三维存储器包括存储串阵列，所述存储串阵列包括多个存储串，且所述存储串包括串联的多个存储单元，其特征在于，包括：关闭所述存储串阵列中的未选中的存储串；控制所述未选中存储串中的预设存储单元在输入验证电压后产生的耦合电势，与所述未选中存储串中其余存储单元在输入串导通电压后产生的耦合电势之间电势差在预设范围内；其中，对所述预设存储单元输入所述验证电压为：对所述预设存储单元输入电压值呈下降趋势的验证电压。
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