[发明专利]一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器

摘要

本申请实施例公开了一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器，其中，该指标方法在形成沟道的二氧化硅层时，分为两步进行，首先在多晶硅层表面沉积二氧化硅层，以获得第一二氧化硅层，然后提高沉积温度，再次沉积二氧化硅层，以获得第二二氧化硅层；由于第二二氧化硅层的沉积温度较高，因此第二二氧化硅层相较于第一二氧化硅层的致密程度更高，从而使得在后续对二氧化硅层进行刻蚀的过程中，第二二氧化硅层的刻蚀速率小于第一二氧化硅层的刻蚀速率，以使得刻蚀完成后，获得较为平整的平面，避免在后续沉积多晶硅时由于二氧化硅层表面凹陷而出现指向衬底的突出区域的情况，进而提升三维存储器的电学性能。

主权项

1.一种三维存储器沟道的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有叠层结构；所述叠层结构包括多个沟槽以及多层交错堆叠的第一介质层和牺牲层，所述牺牲层位于相邻的第一介质层之间，所述沟槽贯穿多层所述第一介质层和牺牲层，并暴露出所述衬底表面；在所述沟槽中形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述沟槽及所述叠层结构表面，且具有容纳空腔；在所述容纳空腔中沉积二氧化硅层，形成第一二氧化硅层，并在所述第一二氧化硅层表面沉积二氧化硅层，形成第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的沉积温度大于所述第一二氧化硅层的沉积温度；对所述第一二氧化硅层及所述第二二氧化硅层进行刻蚀，使所述第一二氧化硅层及所述第二二氧化硅层的表面高度小于所述叠层结构的高度；对所述多晶硅层进行处理，以使所述多晶硅层包围所述第一二氧化硅层及所述第二二氧化硅层。