[发明专利]一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法有效
| 申请号： | 201710772913.9 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107868979B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘丁;段伟锋;张新雨 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/22 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 韩玙 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法，首先依据常规硅单晶控制结构中热场温度和晶体直径数据，辨识热场温度‑晶体直径过程的非线性大滞后预测模型，其中预测模型中的时滞参数，输入输出阶次及模型参数分别通过输出相关性时滞确定算法、利普希茨商及训练栈式稀疏自动编码器获得，然后将栈式稀疏自动编码器作为预测模型引入到非线性广义预测控制算法中，通过预测控制算法中的预测模型，反馈校正，滚动优化等策略实现晶体直径控制，解决了现有硅单晶直径控制过程因晶体提拉速度的剧烈波动而出现的控制效果变差，甚至导致控制失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 恒拉速 控制 结构 硅单晶 直径 方法 | ||
【主权项】：
一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、获得热场温度和晶体直径数据对(T(k),D(k))，k＝1,2,…,M；步骤2、采用输出相关性时滞确定算法，利普希茨商，栈式稀疏自动编码器获得热场温度‑晶体直径非线性大时滞模型；步骤3、通过栈式稀疏自动编码器广义预测控制方法求解热场温度控制率并实现晶体直径实时控制。
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