[发明专利]薄膜晶体管器件及其制作方法有效
申请号: | 201710773106.9 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN109427910B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 王刚;张露;韩珍珍;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管器件及其制作方法,该薄膜晶体管器件的栅电极包括:设置在薄膜晶体管器件的沟道层上方的顶栅;以及设置在沟道层下方的底栅;其中,顶栅上设置有至少一个通孔,顶栅上的通孔在与沟道层平行的平面上的投影被底栅在平面上的投影所覆盖;和/或,底栅上设置有至少一个通孔,底栅上的通孔在平面上的投影被顶栅在平面上的投影所覆盖。本发明实施例提供的薄膜晶体管器件解决了现有薄膜晶体管器件折弯变形时,由于应力集中导致的显示失效的问题。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管器件,其特征在于,所述薄膜晶体管器件的栅电极包括:设置在所述薄膜晶体管器件的沟道层上方的顶栅;以及设置在所述沟道层下方的底栅;其中,所述顶栅上设置有至少一个通孔,所述顶栅上的所述通孔在与所述沟道层平行的平面上的投影被所述底栅在所述平面上的投影所覆盖;和/或,所述底栅上设置有至少一个通孔,所述底栅上的所述通孔在所述平面上的投影被所述顶栅在所述平面上的投影所覆盖。
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