[发明专利]一种自对准双图案化方法

摘要

本发明提供一种自对准双图案化方法，对光阻层进行修整之后，进行其下的第二防反射层的刻蚀，将光阻的图案先转移到第二防反射层中，之后，对第二防反射层进行修整，进而将图案转移到第二硬掩膜层中，完成主轴刻蚀。在双图案化方法中，主轴刻蚀是决定最终刻蚀弯曲度的主要因素，通过两次修整，控制主轴刻蚀之后的图案形貌，提高了以侧墙自对准进行图案化时的工艺质量，进而提高刻蚀弯曲度，减少由于刻蚀弯曲度差而导致的器件失效问题，提高器件的性能。

主权项

一种自对准双图案化方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上依次形成有第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、第二防反射层以及图案化的光阻层；对所述光阻层进行修整；以所述光阻层为掩蔽，干法刻蚀所述第二防反射层，而后，进行第二防反射层的修整；以第二防反射层为掩蔽，干法刻蚀所述第二硬掩膜层，并去除所述光阻层；在所述第二硬掩膜的侧壁形成侧墙；以所述侧墙为掩蔽，干法刻蚀所述第一硬掩膜层。