[发明专利]基于电流型电容倍增的长延时电路在审

专利信息
申请号: 201710774034.X 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN107508583A 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 甄少伟;王佳佳;曾鹏灏;周万礼;陈思远;罗萍;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
主分类号: H03K17/284 分类号: H03K17/284;H03K17/28
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 代理人: 李凌峰
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及集成电路技术。本发明一种基于电流型电容倍增的长延时电路,能够在现有电流型电容倍增电路的基础上进行改进,来实现面积小、工艺偏差比较小的长延迟电路,其技术方案可概括为基于电流型电容倍增的长延时电路,包括外部电源输入端、电路输出端、NMOS管一、NMOS管二、PMOS管一、电容、电流源、PMOS管二、NMOS管三、比较器、基准电压输入端及计数器。本发明的有益效果是,采用了电流型电容倍增技术,使用较小的电容即可实现长延时的目的,且加入比较器及计数器,提升计数时间后可实现更长的延时,适用于长延时电路。
搜索关键词: 基于 电流 电容 倍增 延时 电路
【主权项】:
基于电流型电容倍增的长延时电路,包括外部电源输入端、电路输出端、NMOS管一、NMOS管二、PMOS管一、电容及电流源,其特征在于,还包括PMOS管二、NMOS管三、比较器、基准电压输入端及计数器,所述PMOS管一的源极及PMOS管二的源极都与外部电源输入端连接,PMOS管一的栅极与PMOS管二的栅极连接,且与PMOS管一的漏极及电流源的正极连接,电流源的负极与NMOS管一的漏极及栅极连接,且与电容的一端及NMOS管二的栅极连接,PMOS管二的漏极与电容的另一端连接,且与NMOS管二的漏极连接,该连接点作为节点,其还与比较器的正相输入端及NMOS管三的漏极连接,NMOS管一的源极及NMOS管二的源极分别接地,NMOS管三的源极接地,基准电压输入端与比较器的负相输入端连接,比较器的输出端与计数器的输入端连接,且与NMOS管三的栅极,计数器的输出端与电路输出端连接。
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