[发明专利]一种3D NAND存储器件的金属栅极及其制备方法有效
| 申请号： | 201710774295.1 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107591320B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张静平;蒋阳波;宋冬门;吴良辉;游晓英 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种3D NAND存储器件的金属栅极制备方法，其包括：提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅/氮化硅层交替层叠结构以及贯穿所述层叠结构的栅线缝隙；采用第一刻蚀溶液刻蚀层叠结构中的部分氮化硅以及与所述部分氮化硅直接相邻的部分氧化硅，直至刻蚀到预设位置；所述预设位置为层叠结构中氮化硅层两端面之间的位置；采用第二刻蚀溶液刻蚀层叠结构中剩余的氮化硅；向刻蚀后的层叠结构的镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。该制备方法能够减少金属栅极内部的空隙，有利于提高器件性能。此外，本申请实施例还提供了一种3D NAND存储器件的金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 存储 器件 金属 栅极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器件的金属栅极制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅/氮化硅层交替层叠结构以及贯穿所述层叠结构的栅线缝隙；采用第一刻蚀溶液通过所述栅线缝隙刻蚀层叠结构中每层氮化硅层的部分氮化硅以及与所述部分氮化硅直接相邻的部分氧化硅，直至刻蚀到预设位置；所述预设位置为层叠结构中氮化硅层内与所述栅线缝隙的侧壁具有预设距离的位置；采用第二刻蚀溶液刻蚀层叠结构中每层氮化硅层剩余的氮化硅；向刻蚀后的层叠结构的镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
