[发明专利]一种减反射膜及其制备方法、一种光刻掩模板

摘要

本申请实施例提供了一种光刻掩模板，该光刻掩模板包括基底；位于基底上方的掩膜层；位于掩膜层上方的低消光系数SiON减反射膜；位于SiON减反射膜上方的光刻胶；该SiON减反射膜的厚度能够使得所述SiON减反射膜上表面的反射光与下表面的反射光的光程差等于奇数个1/2发射光波长。如此，SiON减反射膜反射的反射光不会入射到其上方的光刻胶中，从而使得光刻胶形成精确的曝光图形。另外，本申请实施例还提供了一种SiON减反射膜及其制备方法。

主权项

1.一种光刻掩模板，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上方的掩膜层；位于所述掩膜层上方的SiON减反射膜；位于所述SiON减反射膜上方的光刻胶；所述SiON减反射膜的厚度能够使得所述SiON减反射膜上表面的反射光与下表面的反射光的光程差等于奇数个1/2发射光波长；所述SiON减反射膜通过化学气相沉积工艺制备；其中，化学气相沉积工艺条件如下：反应气体SiH₄与N₂O的流量比例在1:1～1:6之间；反应压力为6±1Torr；反应温度为400±30℃；反应时间为：5～6秒。