[发明专利]一种NAND闪存装置的编程方法有效
| 申请号： | 201710775895.X | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107689245B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;靳磊;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 郎志涛 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NAND闪存装置的编程方法，该NAND闪存装置包括存储单元阵列，在所述存储单元阵列的每一单元串一侧的衬底上配置有漏极，在另一侧的衬底上则配置有源极和高压P型阱区(HVPW)，且该编程方法包括首先实施预充电步骤，在该预充电步骤中，除了对上述漏极实施预充电之外，还对上述源极和HVPW实施预充电。该编程方法能够降低编程关断串中多晶硅上的电荷数量，从而增大沟道耦接电压，以提高编程干扰性能。并且因为源极和漏极施加了相同电压，没有电流穿过沟道孔，因此该方法不会增大功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 装置 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种NAND闪存装置的编程方法，该NAND闪存装置包括存储单元阵列，在所述存储单元阵列的每一单元串一侧的衬底上配置有漏极，在另一侧的衬底上则配置有源极和高压P型阱区（HVPW），且该编程方法包括首先实施预充电步骤，其特征在于：在该预充电步骤中，除了对上述漏极实施预充电之外，还对上述源极和高压P型阱区（HVPW）实施预充电，其特征在于，在漏极、高压P型阱区（HVPW）和源极上共同实施预充电，上述漏极、源极以及高压P型阱区（HVPW）的预充电电压相同。
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