[发明专利]一种晶圆切割方法有效
| 申请号： | 201710777281.5 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109427565B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 黄涛 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 江西省南昌市高*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆切割方法，包括：S1提供待切割晶圆片，晶圆片中包括生长衬底和外延结构；S2沿晶圆片中切割槽中心线的两侧，从晶圆片正面对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底；S3沿晶圆片的切割槽中心线，从晶圆片正面进行切割至预设深度；S4沿切割槽中心线的切割切痕，从晶圆片背面对其进行劈裂，完成对晶圆片的切割，得到单颗管芯。以此避免现有技术中采用激光一次切割至指定深度的生长衬底的过程中，由大功率激光在晶圆沟槽表面聚集大量热量，因沟槽各类材料差异导致热量分布不均/散热异常等情况破坏管芯表面结构使芯片失效的情况出现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，所述晶圆切割方法中包括：S1提供待切割晶圆片，所述晶圆片中包括生长衬底和外延结构；S2沿晶圆片中切割槽中心线的两侧，从晶圆片正面对外延结构分别进行切割直至露出生长衬底；S3沿晶圆片的切割槽中心线，从晶圆片正面进行切割至预设深度；S4沿切割槽中心线的切割切痕，从晶圆片背面对其进行劈裂，完成对晶圆片的切割，得到单颗管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
