[发明专利]金属层‑绝缘层‑金属层电容器及其形成方法

摘要

本发明提出一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器及其形成方法，适于应用于集成电路的片内电容，由下至上形成第一金属层、层间金属层、第二金属层，各金属层之间由绝缘层彼此间隔；第一金属层包括第一金属层A区域和第一金属层B区域，层间金属层包括层间金属层A区域和层间金属层B区域；MIM­_A电容器的下极板第一金属层A区域与MIM_B电容器的上极板层间金属层B区域通过第二金属层的部分连线相连，MIM­_A电容器的上极板层间金属层A区域与MIM_B电容器的下极板第一金属层B区域通过第二金属层的另一部分连线相连，降低了电容器上极板的连线阻抗，因此不再需要大面积的第二金属层来降低上极板的连线阻抗，从而节省了第二金属层的占用面积，提高了芯片面积的利用效率。

主权项

一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器的形成方法，适于应用于集成电路的片内电容，其特征在于，由下至上形成第一金属层、层间金属层、第二金属层，各金属层之间由绝缘层彼此间隔；第一金属层包括第一金属层A区域和第一金属层B区域，层间金属层包括层间金属层A区域和层间金属层B区域，第一金属层A区域和层间金属层A区域对应构成MIM_A电容器，第一金属层B区域和层间金属层B区域对应构成MIM_B电容器；MIM_A电容器的下极板第一金属层A区域与MIM_B电容器的上极板层间金属层B区域通过第二金属层的一部分连线相连，MIM_A电容器的上极板层间金属层A区域与MIM_B电容器的下极板第一金属层B区域通过第二金属层的另一部分连线相连，以降低层间金属层的阻抗。