[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明提供能提高动作稳定性的半导体存储装置。半导体存储装置包括层叠体及构造体。层叠体包括层叠区域。层叠区域包括选择栅极电极、在第1方向上从第1选择栅极电极离开的第2选择栅极电极、设置在第1选择栅极电极与第2选择栅极电极之间并在第1方向上排列的第1电极、设置在第2选择栅极电极与第1电极之间并在第1方向上排列的第2电极、和设置在第1、第2电极之间并在第1方向上排列的多个第3电极。第1电极的间隔大于第3电极的间隔。第2电极的间隔大于第3间隔。构造体包括在第1方向上延伸的半导体主体、设置在半导体主体与层叠区域之间的外侧膜、设置在半导体主体与外侧膜之间的内侧膜、和设置在外侧膜与内侧膜之间的中间膜。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，具备层叠体和第1构造体；上述层叠体包括第1层叠区域，该第1层叠区域包括：第1选择栅极电极；第2选择栅极电极，在第1方向上从上述第1选择栅极电极离开；多个第1电极，设置在上述第1选择栅极电极与上述第2选择栅极电极之间，在上述第1方向上排列；多个第2电极，设置在上述第2选择栅极电极与上述多个第1电极之间，在上述第1方向上排列；以及多个第3电极，设置在上述多个第1电极与上述多个第2电极之间，在上述第1方向上排列，上述多个第1电极的相邻的2个第1电极之间的第1间隔大于上述多个第3电极的相邻的2个第3电极之间的第3间隔，上述多个第2电极的相邻的2个第2电极之间的第2间隔大于上述第3间隔；上述第1构造体包括：第1半导体主体，在上述第1方向上延伸；第1外侧膜，设置在上述第1半导体主体与上述第1层叠区域之间；第1内侧膜，设置在上述第1半导体主体与上述第1外侧膜之间；以及第1中间膜，设置在上述第1外侧膜与上述第1内侧膜之间。