[发明专利]电阻式存储装置及其写入方法有效
| 申请号： | 201710777435.0 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109427392B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 林立伟;郑隆吉;刘名晏;江焕铭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储装置及其写入方法，包括：对存储器晶胞施加设定电压以及重置电压当中的其中一者以作为第一选中电压，并且取得存储器晶胞的第一读取电流；对存储器晶胞施加扰动电压，并且取得存储器晶胞的第二读取电流；以及判断第一读取电流以及第二读取电流的大小关系是否符合预设关系，当第一读取电流以及第二读取电流的大小关系不符合预设关系，对存储器晶胞施加设定电压以及重置电压当中的另一者以作为第二选中电压，并且再次对存储器晶胞施加第一选中电压。扰动电压的极性与第一选中电压的极性相反，且扰动电压的绝对值小于第二选中电压的绝对值。另外，一种电阻式存储装置也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储 装置 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储装置的写入方法，包括：对存储器晶胞施加设定电压以及重置电压当中的其中一者以作为第一选中电压，并且取得所述存储器晶胞的第一读取电流；对所述存储器晶胞施加扰动电压，并且取得所述存储器晶胞的第二读取电流；以及判断所述第一读取电流以及所述第二读取电流的大小关系是否符合预设关系，当所述第一读取电流以及所述第二读取电流的大小关系不符合所述预设关系，对所述存储器晶胞施加所述设定电压以及所述重置电压当中的另一者以作为第二选中电压，并且再次对所述存储器晶胞施加所述第一选中电压；其中所述扰动电压的极性与所述第一选中电压的极性相反，且所述扰动电压的绝对值小于所述第二选中电压的绝对值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710777435.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器件及其操作方法
- 下一篇：具有受限尺寸的非易失性存储器
