[发明专利]基于“梳齿式”微流通道的SU‑8原子气室制备方法在审

专利信息
申请号: 201710779296.5 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN107621776A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 张彦军;闫树斌;李云超;张亮 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: G04F5/14 分类号: G04F5/14
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 代理人: 朱源
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及芯片级原子钟原子气室的制备方法,具体为基于“梳齿式”微流通道的SU‑8原子气室制备方法。基于“梳齿式”微流通道的SU‑8原子气室制备方法,包括气室键合层基底的制作、“梳齿式”微流通道半封闭原子气室的制作、化学反应物的填充、气室热键合和化学反应生成元素。本发明为了解决“玻璃‑硅‑玻璃”常规原子气室信噪比差、密封性不佳、制作工艺复杂等技术瓶颈问题,提出一种基于低温热键合工艺的SU‑8聚合物制备同质原子气室的方法;同时,针对化学反应法制备铷单质时微流通道易堵塞的问题,提出“梳齿式”微流通道的设计思想。
搜索关键词: 基于 梳齿 流通 su 原子 制备 方法
【主权项】:
基于“梳齿式”微流通道的SU‑8原子气室制备方法,其特征在于包括气室键合层基底的制作、“梳齿式”微流通道半封闭原子气室的制作、化学反应物的填充、气室热键合和化学反应生成元素,其中气室键合层基底的制作包括以下步骤:(1)将PDMS硅橡胶与固化剂按8:1的比例分别使用注射器抽取并注入到烧杯中完全混合,搅拌均匀,使PDMS硅橡胶与固化剂充分混合;(2)将充分混合的PDMS混合液静置30min后放入真空干燥箱,去除混合后产生的气泡,逐渐降低真空干燥箱中的气压,当气压降到‑0.05MPa时,等待30秒,然后继续降低真空干燥箱中的气压,当真空度达到‑0.01MPa 时,等待10分钟,抽真空完毕;(3)将抽好真空的 PDMS混合液缓慢浇铸在清洗干净的硅片上,静置10分钟;然后将硅片放到真空干燥箱里继续抽真空10分钟,直至完全去除掉倾倒的过程中产生的气泡;(4)将抽好真空的硅片放入烘箱,设定固化温度在70‑90℃之间,持续加热两小时并恒温保持至完全固化,等待至完全冷却后将PDMS从硅片上撕下即可得到所需的PDMS键合层基底(1);“梳齿式”微流通道半封闭原子气室的制作包括以下步骤:(1)掩膜板的制作:利用L‑edit软件,设计气室的平面尺寸与梳齿式微流通道的几何参数;(2)匀胶:通过匀胶机将SU‑8光刻胶旋涂于PDMS键合层基底(1)上,旋涂厚度700μm,旋涂时间9‑15s、转速800rad/min;旋涂完成后静置半小时以上,利用SU‑8光刻胶自平整能力使表面更加平整,得到SU‑8光刻胶层(2),将SU‑8光刻胶层(2)和PDMS键合层基底(1)分离;(3)前哄:静置结束之后前烘,将SU‑8光刻胶层(2)置于烘箱中进行前烘处理,采用阶梯烘的方式升高温度,先将温度升高到 65℃,保持30min,然后将温度升高至 95℃保持6小时;前烘完之后降温,在65℃保持约30min,然后随烘箱冷却,避免温度骤变导致SU‑8光刻胶层(2)应力过大;(4)曝光:采用400nm紫外光通过掩膜版对SU‑8光刻胶层(2)进行分次曝光,每次曝光120s,间隔30s,每次曝光剂量不大于400mJ/cm2,光刻去除SU‑8光刻胶层(2)上气室与“梳齿式”微流通道部分的胶层,即在SU‑8光刻胶层(2)上得到第一气室、第二气室和连接第一气室与第二气室的“梳齿式”微流通道;(5)后烘:曝光结束后立即后烘,先将温度升高到 65℃,保持30min后升温至80℃保持2h,然后降低温度至65℃保持30min,进一步挥发掉溶剂,使已曝光的SU‑8光刻胶层(2)充分交联;然后随烘箱冷却,后烘结束后静置,使未充分交联的SU‑8光刻胶层(2)进一步交联;(6)显影:最终在显影液中搅拌显影,同时利用超声波对气室结构进行处理,以减小气室的溶胀,提升“梳齿式”微流通道的结构精度;显影后用去离子水冲洗干净,得到“梳齿式”双腔半封闭微型气室;(7)提高SU‑8的表面能:利用氧等离子体处理SU‑8光刻胶层(2)表面,改善其表面粘接性,提升其键合界面分子的结合力,增强键合层表面键合强度;化学反应物的填充包括以下步骤:将RbCl和BaN6溶液加入到其中一个气室内,加热蒸发掉溶液中水分得到BaN6固体;气室热键合包括以下步骤:采用热键合法将半封闭气室密封,密封采用另一SU‑8光刻胶层(2);化学反应生成元素包括以下步骤:在真空环境下将温度调节到120℃使BaN6分解得到Ba,同时反应生成的N2经过“梳齿式”微流通道进入另一个气室内;然后将温度升高至200℃,使Ba与RbCl反应生成BaCl2和Rb元素,最终实现“梳齿式”微流通道SU‑8微型原子气室的制备。
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