[发明专利]一种亚波长抗反射微结构器件及其表面质量无损后处理工艺方法在审

专利信息
申请号: 201710780388.5 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN107450114A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 尚鹏;季一勤;熊胜明;刘华松 申请(专利权)人: 天津津航技术物理研究所
主分类号: G02B1/118 分类号: G02B1/118
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心11011 代理人: 袁孜
地址: 300308 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种亚波长抗反射结构器件及其表面质量的无损后处理工艺方法,属于亚波长抗反射光学技术领域。能够增强亚波长抗反射结构的抗反射效果,降低亚波长抗反射微结构表面微裂纹、杂质、缺陷的密度,该方法及器件是,在通过物理、化学基本清洗工艺流程基础上,进一步采用辅助真空低能离子束轰击以及小角度同质镀膜工艺,实现对亚波长抗反射结构表面质量状况的无损改善性处理。本发明的亚波长抗反射结构器件,不仅能够大幅度降低亚波长结构表面杂质吸收、表面散射等损耗,增强现有技术中亚波长抗反射结构的抗反射效果,而且降低了亚波长抗反射微结构表面微裂纹、杂质、缺陷等密度,提高微结构的环境稳定性。
搜索关键词: 一种 波长 反射 微结构 器件 及其 表面 质量 无损 处理 工艺 方法
【主权项】:
一种改善亚波长抗反射结构器件表面质量的无损后处理工艺方法,其特征在于,包括如下步骤:首先,通过物理、化学方法清洗亚波长抗反射结构器件的基底之上的亚波长微结构表面,去除亚波长微结构表面的粉尘、残留杂质;第二步,将初步清洗后的亚波长抗反射结构器件放置于真空室内,抽真空至10‑3Pa以下,通过低能离子束对基底以及亚波长微结构的表面进行轰击,轰击时间10~30min;第三步,在基底以及亚波长微结构的表面,以垂直或与垂直方向小角度夹角的方向入射沉积方式生长与亚波长微结构同质的薄膜层,简称同质膜层;同时辅助转动、烘烤。
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