[发明专利]一种抑制瞬态电场下电荷注入方法及装置在审
| 申请号： | 201710780966.5 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107578861A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 何顺;马宏明;程志万;谭向宇 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H01B13/06 | 分类号： | H01B13/06;H01B19/04;H02K3/32;H02K3/30;H02K15/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 逯长明,许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本申请涉及输配电设备技术领域，具体涉及一种抑制瞬态电场下电荷注入方法及装置。当高压电器运行于暂态过电压波形的时候，局部高压电场将使绝缘介质内注入电荷，并在外界应力作用下不断发生电荷注入、抽出等物理过程。将导致局部电场畸变加剧，容易引起内部击穿及沿面闪络故障。本申请提供一种抑制瞬态电场下电荷注入方法，包括如下步骤选取氧化镁靶材，利用磁控溅射仪，在基体表面形成氧化镁薄膜；将基体对高压设备载流模块表面进行绝缘覆盖。可以提高金属绝缘界面的电子逸出功，提高表面二次电子发射系数，提高高真空下绝缘表面沿面闪络起始电压。本申请还涉及一种抑制瞬态电场下电荷注入装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 瞬态 电场 电荷 注入 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种抑制瞬态电场下电荷注入方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：选取纯度为99.99％的氧化镁靶材置入磁控溅射仪，将基体固定于磁控溅射仪基底进行磁控溅射，在基体表面形成一层氧化镁薄膜；将基体对高压设备载流模块表面进行绝缘覆盖。
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