[发明专利]隔离结构的制作方法有效
| 申请号： | 201710785058.5 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109427647B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 苏郁珊;吴家伟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种隔离结构的制作方法，包括下列步骤。首先，提供一半导体基底。在半导体基底中形成一沟槽。进行第一成膜制作工艺，用以于半导体基底上以及沟槽中共形地形成第一介电层。进行退火制作工艺，用以使第一介电层被密实化而成为第二介电层。第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度。在退火制作工艺之后，进行第二成膜制作工艺，用以于第二介电层上以及沟槽中形成第三介电层。第三介电层与第二介电层将沟槽填满。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种隔离结构的制作方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底中形成一沟槽；进行一第一成膜制作工艺，用以于该半导体基底上以及该沟槽中共形地形成一第一介电层；进行一退火制作工艺，用以使该第一介电层被密实化而成为一第二介电层，其中该第二介电层的厚度小于该第一介电层的厚度；以及在该退火制作工艺之后，进行一第二成膜制作工艺，用以于该第二介电层上以及该沟槽中形成一第三介电层，其中该第三介电层与该第二介电层将该沟槽填满。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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