[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201710785071.0 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107819056A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 冈村卓;北村宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L33/20;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 庞东成,褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供得到充分亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。该制造方法的特征在于，具备晶片准备工序，该晶片在晶体生长用透明基板上具有形成包含发光层的2层以上半导体层的层积体层，在由层积体层表面上相互交叉的2条以上分割预定线划分出的各区域形成有LED电路；晶片背面加工工序，在晶片背面与各LED电路对应形成2个以上凹部或槽；透明基板加工工序，在整个面上形成2个以上贯通孔的透明基板表面与晶片的各LED电路对应形成2个以上凹陷；一体化工序，实施晶片背面加工工序和透明基板加工工序后，将透明基板表面粘贴在晶片背面，形成一体化晶片；分割工序，将晶片沿该分割预定线与透明基板一起切断，一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，其具备：晶片准备工序，其中，准备在晶体生长用的透明基板上具有形成有包含发光层的2层以上的半导体层的层积体层的晶片，在由该层积体层的表面上相互交叉的2条以上的分割预定线划分出的各区域分别形成LED电路；晶片背面加工工序，其中，在该晶片的背面上与各LED电路对应地形成2个以上的凹部或槽；透明基板加工工序，其中，在整个面上形成有2个以上的贯通孔的透明基板的表面上与该晶片的各LED电路对应地形成2个以上的凹陷；一体化工序，其中，在实施了该晶片背面加工工序和该透明基板加工工序后，将该透明基板的表面粘贴在该晶片的背面而形成一体化晶片；以及分割工序，其中，将该晶片沿着该分割预定线与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
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