[发明专利]光电元件的制备方法在审
| 申请号： | 201710785260.8 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107799427A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张灵;卢厚德 | 申请（专利权）人： | 达兴材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 王华芹 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种光电元件的制备方法，其包括(a)于承载材上形成一层高分子层，该高分子层是以一种于光线照射下会产生降解的材料为主；(b)于高分子层上形成光电元件；(c)对该高分子层施加光线照射，以使高分子层产生降解，并使承载材与光电元件分离；及(d)利用清洗组合物清洗承载材或光电元件，清洗组合物包含由化学式1所示的链状碳酸酯、及汉森溶解度参数范围为9～15(cal/cm3)1/2的有机溶剂。本发明光电元件的制备方法通过使用该清洗组合物，能使该高分子层不会残留于该光电元件或该承载材上，也有助于回收该承载材。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光电元件的制备方法，包括：(a)于承载材上形成一层高分子层，该高分子层是以一种于光线照射下会产生降解的材料为主；(b)于该高分子层上形成光电元件；(c)对该高分子层施加光线照射，以使该高分子层产生降解，并使该承载材与该光电元件分离；及(d)利用清洗组合物清洗该承载材或该光电元件；其中，该清洗组合物包含由化学式1所示的链状碳酸酯、以及汉森溶解度参数范围为9～15(cal/cm3)1/2的有机溶剂，[化学式1]R1及R2相同或不同且各自独立地表示C1～C5烷基、C2～C5烯基或苯基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
