[发明专利]一种二硫化钼纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710789452.6 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107512735A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 武卫明;张长松;王书红;周丽敏;郑勇;张楠;侯绍刚 | 申请（专利权）人： | 安阳工学院 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所(普通合伙)41116 | 代理人： | 杨红军 |
| 地址： | 455000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钼纳米片及其制备方法，该二硫化钼纳米片采用磁控反应溅射的方法制备，以金属钼为靶材，采用氩气为溅射气体，硫化氢为反应气体，以金属片为衬底。作为锂离子电池的负极材料，该二硫化钼纳米片具有较高的储锂性能，优异的充放电循环性能以及倍率性能；作为电催化析氢电极材料以及燃料电池负极材料，该二硫化钼纳米片有效降低了电极过电位，减少了电极极化电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二硫化钼纳米片及其制备方法，其特征在于：二硫化钼纳米片通过磁控反应溅射的方法制备。
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