[发明专利]一种在钼或钼合金表面制备硅化钼涂层的方法有效
| 申请号： | 201710791688.3 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107675120B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 牛亚然;翟翠红;赵君;李红;郑学斌;孙晋良;丁传贤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C4/134 | 分类号： | C23C4/134;C23C4/10;C23C4/18 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在钼或钼合金表面制备硅化钼涂层的方法，以硅粉为原料，采用等离子体喷涂技术在钼或钼合金基体表面制备硅涂层，然后置于惰性气氛中在1000～1500℃下热处理1～10小时，从而在钼或钼合金基体表面形成硅化钼涂层。该制备方法具有工艺简单、成本低、效率高、可重复性好、适合规模化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 钼合金 硅化钼涂层 基体表面 制备 等离子体喷涂 规模化生产 热处理 表面制备 可重复性 硅涂层 硅粉 | ||
【主权项】：
1.一种在钼或钼合金表面制备硅化钼涂层的方法，其特征在于，以硅粉为原料，采用等离子体喷涂技术在钼或钼合金基体表面制备硅涂层，然后置于惰性气氛中在1000～1500℃下热处理1～10小时，从而在钼或钼合金基体表面形成硅化钼涂层，所述硅粉的粒径为10～120μm，纯度大于98 wt.%；所述硅涂层的厚度为60～300μm；/n所述硅化钼涂层包括MoSi2外层、以及位于所述基体和MoSi2外层之间的过渡层，所述过渡层为Mo5Si3-Mo3Si；/n所述等离子体喷涂技术的工艺参数包括：等离子体气体Ar：30～50 slpm；等离子体气体H2：6～15 slpm；粉末载气Ar：2～7 slpm；喷涂距离：100～200 mm；喷涂功率：30～50 kW；送粉速率：10～30 rpm。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
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