[发明专利]湿蚀刻化学品在审
| 申请号： | 201710794595.6 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN108231581A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 杨能杰;连建洲;王育文;黄国彬;叶明熙;林舜武;张诗敏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;C09K13/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明以高选择性的湿蚀刻化学品移除多晶硅栅极，而不损伤围绕多晶硅栅极的层状物，其可用于金属栅极置换的整合方法。举例来说，湿蚀刻化学品可包含一或多种碱溶剂，其具有位阻的胺结构；缓冲系统，其包含氢氧化四甲基铵与单乙醇胺；一或多种极性溶剂；与水。 | ||
| 搜索关键词： | 化学品 湿蚀刻 多晶硅栅极 氢氧化四甲基铵 单乙醇胺 高选择性 缓冲系统 极性溶剂 金属栅极 胺结构 层状物 碱溶剂 可用 位阻 移除 整合 损伤 置换 | ||
【主权项】：
1.一种湿蚀刻化学品，包括：一或多种碱溶剂，其中至少一该些碱溶剂包括一位阻的胺结构；一缓冲系统，包括氢氧化四甲基铵与单乙醇胺；一或多种极性溶剂；以及水。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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