[发明专利]一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件

摘要

本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，用于降低现有MLSCR器件的触发电压。本发明低触发电压MLSCR器件在现有MLSCR器件基础上在跨接的第一种导电类型重掺杂区下方引入ESD注入层，该ESD注入层为中等掺杂浓度的第二种导电类型掺杂区，其掺杂浓度介于漏/源重掺杂区浓度和阱区掺杂浓度之间；由于ESD注入层的引入，本发明低触发电压MLSCR器件的触发模块由原本的N+/P‑well二极管变为N+/P‑esd二极管，N+/P‑esd二极管相比N+/P‑well二极管具有更低的反向雪崩电压，从而实现更低的触发电压；同时能够实现动态调节触发电压，进一步优化MLSCR器件触发电压。

主权项

一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，包含第二种导电类型硅衬底(110)，所述衬底上形成第一种导电类型深阱区(150)，所述深阱区上形成相邻接的一个第一种导电类型阱区(120)和一个第二种导电类型阱区(140)，所述第一种导电类型阱区内设有均与阳极相连的第一种导电类型重掺杂区A(121)和第二种导电类型重掺杂区A(122)，所述第二种导电类型阱区内设有均与阴极相连的第一种导电类型重掺杂B(141)和第二种导电类型重掺杂区B(142)，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处设有第一种导电类型重掺杂区C(131)、其左右边界分别位于两个阱区内；其特征在于，所述第一种导电类型阱区与第二种导电类型阱区交界处还设有一个ESD注入层(132)、位于所述第一种导电类型重掺杂区C(131)下方，所述ESD注入层为第二种导电类型掺杂区、其掺杂浓度介于所述第一种导电类型重掺杂区C(131)和所述第二种导电类型阱区(140)之间，其左右边界同样分别位于两个阱区内。