[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710796202.5 | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN108807524B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 邓光敏;裴轶;朱永生 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。该半导体器件，包括基于所述衬底制作的半导体层、基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极、以及基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极。该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。在该半导体器件中，肖特基源极与欧姆漏极可以构成肖特基二极管。在欧姆源极为高电位，欧姆漏极为低电位时，肖特基源极与欧姆漏极构成的肖特基二极管正向开启，形成续流回路。在需要用二极管进行续流的电路中，无需外接续流二极管，可通过自带的肖特基二极管实现续流功能，降低电路成本，使电路尺寸更小，同时降低电路设计难度，降低损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；基于所述衬底制作的半导体层；基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极；基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极，该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。
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