[发明专利]一种Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料的合成方法在审

专利信息
申请号: 201710797535.X 申请日: 2017-09-06
公开(公告)号: CN107687025A 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 余超;程可任;祝洪喜;邓承继;丁军 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C30B29/62 分类号: C30B29/62;C30B29/36;C30B1/02;C30B1/10;C30B29/02
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料的合成方法。其技术方案是将Al4SiC4基体装入坩埚内,再将所述坩埚置于管式刚玉炉中,在氩气气氛和1000~1800℃条件下保温30~600min,冷却至室温,制得Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料;所述Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料生长在所述Al4SiC4基体表面。所述Al4SiC4基体为Al4SiC4坯体和Al4SiC4粉体中的一种;所述Al4SiC4坯体是在5~50MPa条件下将Al4SiC4粉体压制成型;所述Al4SiC4粉体的Al4SiC4含量≥98.0wt%,粒度≤100μm。所述氩气的纯度≥99.9%。本发明不需要添加催化剂,工艺简单;所制备的Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料生长在所述Al4SiC4基体表面,尺寸可控。
搜索关键词: 一种 al4o4c 晶须 纳米 复合材料 合成 方法
【主权项】:
一种Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料的合成方法,其特征在于将Al4SiC4基体装入坩埚内,再将所述坩埚置于管式刚玉炉中,在氩气气氛和1000~1800℃条件下保温30~600min,冷却至室温,制得Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料;所述Al4O4C晶须/碳纳米管复合材料生长在所述Al4SiC4基体表面;所述Al4SiC4基体为Al4SiC4坯体和Al4SiC4粉体中的一种;所述Al4SiC4坯体是在5~50MPa条件下将Al4SiC4粉体压制成型;所述Al4SiC4粉体的Al4SiC4含量≥98.0wt%,粒度≤100μm。
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