[发明专利]监测和控制晶片衬底形变的方法和系统有效
| 申请号： | 201710798257.X | 申请日： | 2017-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107799411B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 海尤玛·阿什拉夫;凯文·里德尔;罗兰·芒福德;格兰特·鲍德温 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了在等离子蚀刻晶片衬底的过程中监测和控制所述晶片衬底的形变的方法和系统。所述方法包括以下步骤：将晶片衬底布置在工艺腔室内的台板组件上，以使晶片的整个上表面暴露；使工艺气体通入所述工艺腔室中；向所述台板组件施加射频偏置电压；在所述工艺腔室内生成等离子体；在蚀刻工艺期间，监测所述台板组件和所述工艺腔室之间的电压差；一旦达到阈值监测电压，就减少或消除所述等离子体以阻止进一步蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 控制 晶片 衬底 形变 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种在等离子蚀刻晶片衬底的过程中监测和控制所述晶片衬底的形变的方法，所述方法包括：将晶片衬底布置在工艺腔室内的台板组件上，以使晶片的整个上表面暴露；使工艺气体通入所述工艺腔室中；向所述台板组件施加射频偏置电压；在所述工艺腔室内生成等离子体；在蚀刻工艺期间，监测所述台板组件和所述工艺腔室之间的电压差；一旦达到监测的阈值电压，就减少或消除所述等离子体以阻止进一步蚀刻。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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