[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括提供有电子器件的衬底、形成在电子器件上方的层间介电(ILD)层、形成在ILD层上的布线图案和形成在ILD层中并且将布线图案物理地且电连接至电子器件的导电区的接触件。在位于接触件和ILD层之间的接触件的侧壁上提供绝缘衬垫层。从电子器件的导电区的顶部测量的绝缘衬垫层的高度小于在导电区的顶部和界面的水平面之间测量的接触件的高度的90％，该界面位于ILD层和布线图案之间。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底，提供有电子器件；层间介电(ILD)层，形成在所述电子器件上方；布线图案，形成在所述层间介电层上或中；以及接触件，形成在所述层间介电层中并且将所述布线图案物理地且电连接至所述电子器件的导电区；以及绝缘衬垫层，提供在位于所述接触件和所述层间介电层之间的所述接触件的侧壁上，其中，从所述电子器件的所述导电区的顶部测量的所述绝缘衬垫层的高度小于在所述导电区的所述顶部和界面的水平面之间测量的所述接触件的高度的90％，所述界面位于所述层间介电层和所述布线图案之间。