[发明专利]图像传感器的形成方法在审
申请号: | 201710799968.9 | 申请日: | 2017-09-06 |
公开(公告)号: | CN107578990A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 吴明;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;常传栋;朱晓彤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器的形成方法,包括提供工艺衬底,工艺衬底包括相背设置的第一面和第二面;在第一面上形成过渡层;在过渡层上形成第一掺杂层;在第一掺杂层上形成感光结构;形成感光结构之后,以过渡层为停止层,对工艺衬底的第二面进行减薄处理,以去除工艺衬底;去除工艺衬底之后,去除过渡层,露出第一掺杂层。过渡层在减薄处理过程中作为停止层,提高去除工艺衬底的工艺控制精度,提高所形成图像传感器中,第一掺杂层厚度的精确性,使省去滤色镜结构而实现不同颜色光信号采集成为可能,从而达到简化形成工艺和器件结构,降低制造成本的目的,更好地实现结构简化和性能改善的兼顾。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供工艺衬底,所述工艺衬底包括相背设置的第一面和第二面;在所述第一面上形成过渡层;在所述过渡层上形成第一掺杂层;在所述第一掺杂层上形成感光结构;形成所述感光结构之后,以所述过渡层为停止层,对所述工艺衬底的第二面进行减薄处理,以去除所述工艺衬底;去除所述工艺衬底之后,去除所述过渡层,露出所述第一掺杂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710799968.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电子秤按键粒
- 下一篇:柱式传感器偏载测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造