[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710800060.5 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN107611178B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 黄熙敦;金周訚;南基弘;金奉炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一沟槽，形成在衬底中；第一绝缘膜，形成在第一沟槽的侧壁和底表面上并且不形成在衬底的顶表面上；以及第一导电膜，形成在第一绝缘膜上以部分地填充第一沟槽，其中第一绝缘膜包括交叠第一导电膜的第一部分和不交叠第一导电膜的第二部分，其中第二部分包括第一固定电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；沟槽，在所述衬底中并在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间，所述第一源极/漏极区通过所述沟槽与所述第二源极/漏极区间隔开；栅电极，设置在所述沟槽的下部分；覆盖层，在所述栅电极上并在所述沟槽的上部分；以及绝缘膜，在所述沟槽内，所述绝缘膜具有在所述衬底与所述栅电极之间的第一部分以及在所述覆盖层与所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区中的至少一个之间的第二部分，其中所述绝缘膜的所述第二部分包括N、La和B中的至少一种材料。
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