[发明专利]背投影式光电探测清纱装置及其紫外增强型硅光电二极管

摘要

本发明涉及背投影式光电探测清纱装置及其紫外增强型硅光电二极管。发光管的前端与探测器的光敏面齐平设置使得发光管发出的光不会直接进入探测器中，而是会经滤光片过滤并照射待检测纱线后再由待检测纱线反射或是由反射镜反射回探测器的光敏面，有利于减小杂光信号对检测结果的影响，提高采集到信号的信噪比。而特殊的紫外增强型硅光电二极管使得其能在较低的波段开始响应，且在接收到一定功率光线照射后能产生的光电流强度较大，所以本发明具有极大的光波捕获率及光电流转化率，因而可以仅使用光电式检测法检测出待检测纱线中的同质异色纤维和同色异质纤维。

主权项

一种背投影式光电探测清纱装置，其特征在于：包括设置于待检测纱线后方的发光管和探测器，还包括设置于待检测纱线前方的反射镜，发光管的前端面与探测器的光敏面齐平设置，发光管与探测器的前方还设置有用于选取330nm～470nm的波段光线的滤光片，所述反射镜的反光面与探测器的光敏面平行，所述发光管包括紫外发光二极管，所述探测器包括紫外增强型硅光电二极管，紫外增强型硅光电二极管由电阻率为3000Ω·cm、场氧化厚度为1000nm的高电阻率N型(111)硅片制成，一面注入剂量为4x1014cm‑2～5x1014cm‑2、能量为30Kev的硼而形成P形区，另一面注入剂量为5x1015cm‑2、能量为100Kev的磷而形成N+区，硅片的P型区抛光、N+区磨光，P型区和N+区的氧化层厚度均为50nm～60nm。