[发明专利]半导体封装结构在审

专利信息
申请号: 201710801467.X 申请日: 2017-09-07
公开(公告)号: CN108122874A 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 陈洁;陈宪伟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 本公开提供一种半导体封装结构。此半导体封装结构包括一芯片、一封膜材料、一穿孔、一第一重新分布层布线与一第二重新分布层布线。封膜材料包围芯片。穿孔从封膜材料的一第一表面延伸至一第二表面,且第二表面是相对于第一表面。第一重新分布层布线设置在封膜材料的第二表面并耦接于穿孔。第二重新分布层布线设置在封膜材料的第二表面并平行于第一重新分布层布线。跨过穿孔的一部分的第二重新分布层布线具有一第一区段以及一第二区段,并且第一区段具有一第一宽度而第二区段具有不同于第一宽度的一第二宽度。本公开提供的半导体封装结构可以避免跨过穿孔的重新分布层布线会发生重新分布层裂开。
搜索关键词: 重新分布层 布线 半导体封装结构 封膜 第二表面 穿孔 第一表面 穿孔的 跨过 芯片 材料包围 裂开 耦接 平行 延伸
【主权项】:
一种半导体封装结构,包括:一芯片;一封膜材料,包围上述芯片;一穿孔,从上述封膜材料的一第一表面延伸至一第二表面,其中上述第二表面是相对于上述第一表面;一第一重新分布层布线,设置在上述封膜材料的上述第二表面并耦接于上述穿孔;以及一第二重新分布层布线,设置在上述封膜材料的上述第二表面并平行于上述第一重新分布层布线,其中跨过上述穿孔的一部分的上述第二重新分布层布线具有一第一区段以及一第二区段,并且上述第一区段具有一第一宽度而上述第二区段具有不同于上述第一宽度的一第二宽度。
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