[发明专利]一种高穿透高色纯显示屏用LED材料及其制造方法在审
| 申请号： | 201710803848.1 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN107452847A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 张迪明 | 申请（专利权）人： | 宁波高新区斯汀环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 315040 浙江省宁波市高*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高穿透高色纯显示屏用LED材料及其制造方法，该LED材料具体由LED芯片和滤波材料组成，其中滤波材料采用可透过波长600nm‑620nm的滤波材料和钇铝石榴石吸光粉；LED芯片具体为以砷化镓为衬底，以镓铝铟磷半导体为芯体，两个电极分布在器件的表面和底部的N型电极，其中镓铝铟磷半导体芯体内按镓铝铟磷半导体总质量添加有1.3%的磷、0.8%的铟、0.2%的镓和1.1%的铝。本发明的光强高、波长范围小、穿透性强、抗老化，适用于交通信号、灯塔等远程信号控制及传播或户外广告等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 穿透 高色纯 显示屏 led 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高穿透高色纯显示屏用LED材料，该LED材料具体由LED芯片和滤波材料组成，其特征在于：其中滤波材料采用可透过波长600nm‑620nm的滤波材料和钇铝石榴石吸光粉；LED芯片具体为以砷化镓为衬底，以镓铝铟磷半导体为芯体，两个电极分布在器件的表面和底部的N型电极，其中镓铝铟磷半导体芯体内按镓铝铟磷半导体总质量添加有1.3%的磷、0.8%的铟、0.2%的镓和1.1%的铝。
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