[发明专利]一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法及装置在审
| 申请号： | 201710805331.6 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN109472169A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 简红;蒋信 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/73 | 分类号： | G06F21/73;G11C11/16 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法及装置，所述方法从MRAM芯片中任意选择一个磁性隧道结MTJ位元作为参考位元，依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较，记录比较结果，生成逻辑状态图，利用所述逻辑状态图生成MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。本发明的装置包括初始化模块、参考位元选择模块、比较模块和PUF生成模块。本发明的方法及装置，生成的PUF函数的数量和复杂程度与芯片的容量成正比。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 物理不可克隆函数 参考位元 磁性隧道结 逻辑状态图 电阻 位元 初始化模块 比较模块 记录比较 生成模块 选择模块 成正比 预设 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法，其特征在于，所述方法包括：将MRAM芯片初始化为低阻态或高阻态；从MRAM芯片中选择任意一个磁性隧道结MTJ位元作为参考位元；依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较，记录比较结果，生成逻辑状态图；利用所述逻辑状态图生成MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。
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