[发明专利]一种单斜相BiVO4：Re光催化材料的高压制备方法

摘要

本发明属于光催化无机材料领域，具体涉及一种高浓度掺杂的单斜相BiVO₄：Re光催化材料的高压制备方法的专利申请。该方法以四方相锆石结构的BiVO₄：Re为原材料，包括原料预处理、封装和加压处理、泄压处理等步骤。本申请属于一种高压相变制备方法，能够较好解决现有单斜相BiVO₄：Re材料制备过程中的高浓度掺杂诱发的相分离矛盾难题。该方法不需要高温烧结，不需要添加助融剂，制备工艺简便易操作，常温即可制备，且反应时间短、能耗低，能够有效降低合成成本；所制备单斜相BiVO₄：Re材料中Re掺杂浓度较高，且不含其它杂质，物相单一，且具有良好的光催化性能和可见光活性，具有较好的应用前景。

主权项

1.一种单斜相BiVO₄：Re光催化材料的高压制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：（1）原料预处理，该方法以四方相锆石结构的BiVO₄：Re为原材料，将原材料干燥后备用；Re为稀土类元素，包括：镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)，以及钪(Sc)和钇(Y)共17种元素，四方相锆石结构的BiVO₄：Re中的Re为上述17种元素中一种或几种任意比例的混合物；Re的浓度在1~10 mol%；（2）封装和加压处理，将步骤（1）中预处理后原材料置于高压合成装置的样品腔内，加压，并恒压保压；加压至压力为5~10 GPa，加压速度不超过2GPa/h；（3）降压处理，在步骤（2）中加压处理完成后，降压至常压；降至室压后，取出样品，得到单斜相BiVO₄：Re产物。