[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710811212.1 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN107819040A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 吉富敦司;川岛祥之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/11568;H01L27/1157;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提高具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性和性能。控制栅电极经由第一绝缘膜形成在半导体衬底上。存储器栅电极经由具有电荷积累部的第二绝缘膜形成在半导体衬底上。第二绝缘膜横跨半导体衬底和存储器栅电极之间以及控制栅电极和存储器栅电极之间地形成。在控制栅电极和存储器栅电极之间，第三绝缘膜形成在第二绝缘膜和存储器栅电极之间。第三绝缘膜未形成在存储器栅电极之下。存储器栅电极的一部分存在于第三绝缘膜的下端面之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；经由第一栅绝缘膜形成在所述半导体衬底上方的非易失性存储器的存储器单元的第一栅电极；经由第二栅绝缘膜形成在所述半导体衬底上方的所述非易失性存储器的所述存储器单元的第二栅电极，所述第二栅绝缘膜具有电荷积累部；以及形成在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的第一绝缘膜，其中，所述第二栅绝缘膜横跨在所述半导体衬底和所述第二栅电极之间以及所述第一栅电极和所述第二栅电极之间地形成，其中，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，所述第一绝缘膜形成在所述第二栅绝缘膜和所述第二栅电极之间，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极经由所述第二栅绝缘膜和所述第一绝缘膜彼此相邻，其中，所述第一绝缘膜未形成在所述第二栅电极之下，其中，所述第一绝缘膜的下端面处于比所述第二栅电极的下表面的位置高的位置处，以及其中，所述第二栅电极的一部分存在于所述第一绝缘膜的所述下端面之下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710811212.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
