[发明专利]封装结构在审
申请号: | 201710811271.9 | 申请日: | 2017-09-11 |
公开(公告)号: | CN108666288A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 林俊成;郑礼辉;蔡柏豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种封装结构,此封装结构包含一半导体元件、一第一重分布线、一介电层、一第一导电凸块与一第一密封结构。此介电层是位于此第一重分布线上方且具有一第一开口于其中。此第一导电凸块是部分地嵌入此第一开口且电性连接此第一重分布线。此第一密封结构包围此第一导电凸块的一底部。此第一密封结构具有一曲面,此曲面从此第一导电凸块的一底部的一外表面延伸至此介电层的一顶面。 | ||
搜索关键词: | 导电凸块 封装结构 密封结构 重分布线 介电层 开口 半导体元件 电性连接 电层 顶面 嵌入 包围 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种封装结构,其特征在于,包含:一半导体元件;一第一重分布线,电性连接该半导体元件;一介电层,位于该第一重分布线上方且具有一第一开口于其中;一第一导电凸块,部分地嵌入该第一开口且与该第一重分布线电性连接;以及一第一密封结构,环绕该第一导电凸块的一底部,该第一密封结构具有一曲面,该曲面从该第一导电凸块的该底部的一外表面延伸至该介电层的一顶面。
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