[发明专利]集成沟槽式电容器有效
| 申请号： | 201710816297.2 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107818970B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | B·胡;H·卡瓦哈勒;S·P·彭德哈卡 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;王爽 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成沟槽式电容器，其中具体公开了一种深沟槽式电容器(100)以及用于在半导体工艺中提供深沟槽式电容器(100)的方法(400A)。该方法包括在半导体晶片的第一区域(106、108)中形成(405)多个深沟槽(111)，第一区域具有第一类型掺杂的阱。在多个深沟槽的表面上形成(410)介电层(110)，并且沉积(415)掺杂多晶硅层(112)以填充多个深沟槽，其中掺杂多晶硅掺杂有第二类型的掺杂剂。在介电层与半导体晶片的表面的交点处，形成(420)覆盖介电层的浅沟槽隔离(114)。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 沟槽 电容器 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体工艺中提供深沟槽式电容器的方法，所述方法包括：在半导体晶片的第一区域中形成多个深沟槽，所述第一区域具有第一类型掺杂的阱；在所述多个深沟槽的表面上形成介电层；沉积掺杂多晶硅层以填充所述多个深沟槽，掺杂多晶硅掺杂有第二类型掺杂剂；以及在所述介电层与所述半导体晶片的表面的交点处形成覆盖所述介电层的浅沟槽隔离。
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