[发明专利]一种microLED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710816672.3 | 申请日： | 2017-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107706273A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 白航空 | 申请（专利权）人： | 合肥惠科金扬科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种microLED外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN接触层、多量子阱层、以及p型GaN接触层，所述多量子阱层包括GaN垒层和InxGa1‑xN阱层，0<X<1；所述非掺杂GaN层或n型GaN接触层至少其中之一分为两段式结构，两段结构之间插入AlGaN应力释放层。本发明通过在非掺杂GaN层或n型GaN接触层至少其中之一分为两段式生长，两段之间插入AlGaN应力释放层，减少非掺杂GaN层或n型GaN接触层内的应力，将非掺杂GaN层或n型GaN接触层内应力提前进行释放，进而减少翘曲，防止外延结构形成过程中可能因翘曲而产生的裂片、均匀性差(包括波长、亮度、电压等光电参数)等问题，显著提高片内均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 microled 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种microLED外延结构，该外延结构包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN接触层、多量子阱层、以及p型GaN接触层，所述多量子阱层包括GaN垒层和InxGa1‑xN阱层，0<X<1；其特征在于：所述非掺杂GaN层或n型GaN接触层至少其中之一分为两段式结构，两段结构之间插入AlGaN应力释放层；当所述非掺杂GaN层分为两段式结构时，包括依次层叠在低温缓冲层上的第一非掺杂GaN层、AlGaN应力释放层、第二非掺杂GaN层；当所述n型GaN接触层分为两段式生长时，包括依次层叠在低温缓冲层上的第一n型GaN接触层、AlGaN应力释放层、第二n型GaN接触层。
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