[发明专利]一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺有效
申请号: | 201710816709.2 | 申请日: | 2017-09-12 |
公开(公告)号: | CN107354513B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 吕菲;张伟才;常耀辉;王云彪;窦连水;刘洋 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/08;C23F1/24 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 王凤英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。将锗单晶片浸入NH |
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搜索关键词: | 一种 高效 稳定 晶片 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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