[发明专利]一种高效稳定的锗单晶片腐蚀工艺有效

专利信息
申请号: 201710816709.2 申请日: 2017-09-12
公开(公告)号: CN107354513B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 吕菲;张伟才;常耀辉;王云彪;窦连水;刘洋 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C30B29/08;C23F1/24
代理公司: 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人: 王凤英
地址: 300220*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种可以高效稳定腐蚀锗单晶片的腐蚀工艺。将锗单晶片浸入NH4OH:H2O2:HF:DIW=1:2:3:5的腐蚀液中,其中氢氟酸、过氧化氢和氢氧化铵的质量浓度分别为40±1%、30±1%和25±1%,搅拌均匀,腐蚀液温度保持在50℃‑53℃,每次将10片锗单晶片浸入腐蚀液顺时针转动3min20s~3min40s,可去除厚度16μm‑18μm。本腐蚀工艺中的腐蚀液腐蚀速度高效稳定,且腐蚀液温度、有效成分波动小,工艺条件易于控制,腐蚀后锗片表面一致均匀、无腐蚀坑,质量好,适用于批量生产。
搜索关键词: 一种 高效 稳定 晶片 腐蚀 工艺
【主权项】:
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