[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明公开一种半导体存储装置，包括半导体基底、栅极结构、第一间隙壁结构以及栅极连接结构。半导体基底包括存储单元区以及周围区。栅极结构设置于半导体基底上并位于周围区，栅极结构包括第一导电层以及栅极盖层。栅极盖层设置于第一导电层上，第一间隙壁结构设置于第一导电层的侧壁以及栅极盖层的侧壁上。栅极连接结构包括第一部与第二部。第一部贯穿栅极盖层而与第一导电层电连接。第二部与第一部相连，第二部设置于栅极盖层的上表面上，且第二部接触栅极盖层的上表面。

主权项

1.一种半导体存储装置，包括：半导体基底，包括存储单元区以及周围区；栅极结构，设置于该半导体基底上并位于该周围区，该栅极结构包括：第一导电层；以及栅极盖层，设置于该第一导电层上；第一间隙壁结构，设置于该第一导电层的侧壁以及该栅极盖层的侧壁上；以及栅极连接结构，包括：第一部，贯穿该栅极盖层而与该第一导电层电连接；以及第二部，与该第一部相连，其中该第二部设置于该栅极盖层的上表面上，且该第二部接触该栅极盖层的该上表面。