[发明专利]氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用有效

专利信息
申请号: 201710821429.0 申请日: 2017-09-13
公开(公告)号: CN107768528B 公开(公告)日: 2019-10-29
发明(设计)人: 孟鸿;缪景生;胡钊;刘铭 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用,所述氟代醇溶剂作为含氮氮二甲基、吡啶单元以及胺基基团等有机分子的溶剂,配制成有机分子溶液在制备钙钛矿光电器件的空穴传输层和/或电子传输层中的应用。与现有技术相比,本发明所述氟代醇溶剂用于加工制备钙钛矿光电器件具有以下优点:所述氟代醇溶剂是低毒溶剂;所述氟代醇溶剂能够有效地溶解电子和空穴传输材料,其作为溶剂加工电子和空穴传输材料在钙钛矿薄膜表面成膜时不会破坏钙钛矿的晶体结构。
搜索关键词: 氟代醇 溶剂 制备 钙钛矿 光电 器件 中的 应用
【主权项】:
1.氟代醇溶剂在制备钙钛矿光电器件中的应用;所述氟代醇溶剂作为有机分子的溶剂,配制成有机分子溶液在制备钙钛矿光电器件的空穴传输层和/或电子传输层中的应用;所述有机分子为含氮氮二甲基、吡啶单元以及胺基基团中的一种或多种;所述钙钛矿光电器件包括依次设置的阳极、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层及阴极;所述钙钛矿层的晶体结构为ABX3,A2BX4,A3B2X7,A2BX6中的一种或多种;其中A为CH3NH3+或NH2CH=NH2+,B为Pb2+或Sn2+,X为I、CL或Br
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