[发明专利]基片表面陷光结构的制备装置及其制备方法在审
申请号: | 201710821482.0 | 申请日: | 2017-09-12 |
公开(公告)号: | CN107658247A | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 张芸;贾旭涛;贾瑞 | 申请(专利权)人: | 北京旭日龙腾新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/0236 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 102208 北京市昌平区回龙*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 基片表面陷光结构的制备装置及其制备方法,其中,基片表面陷光结构的制备装置,包括腐蚀槽,用于盛放腐蚀液及待腐蚀基片;光源,用于发射催化光;透光板,设置于腐蚀槽上方,具有周期性的孔隙,用于使催化光透过射入腐蚀槽;基片的表面在催化光的作用下,由腐蚀液腐蚀得到陷光结构。由于通过光催化进行腐蚀反应,相较于传统的通过陷光结构掩模板,能够实现陷光结构的量产化,相较于传统的划刻或简单的腐蚀方法,能够制备出纳米级别的陷光结构,从而能够极大的增大光接收面积,有效地实现抗反射,从而为太阳能电池和光电探测器效率的提升提供了技术启示。 | ||
搜索关键词: | 表面 结构 制备 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种基片表面陷光结构的制备装置,包括:腐蚀槽,用于盛放腐蚀液及待腐蚀基片;光源,用于发射催化光;透光板,设置于所述腐蚀槽上方,具有周期性的孔隙,用于使所述催化光透过射入所述腐蚀槽;所述基片的表面在所述催化光的作用下,由所述腐蚀液腐蚀得到所述陷光结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造