[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710822062.4 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107871783B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 富田英干;兼近将一;上田博之;森朋彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法，在具备纵型漂移区域(即，JFET区域)的半导体装置中，改善耐压与接通电阻之间存在的此消彼长的关系。半导体装置(1)具备在氮化物半导体层(20)的表面上的一部分设置的异质接合区域(42)。异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)向氮化物半导体层(20)的表面露出的范围的至少一部分接触，且具有比纵型漂移区域(21b)宽的带隙。在异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)之间的异质接合界面形成二维电子气体，接通电阻下降。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：氮化物半导体层；绝缘栅极部，设置于所述氮化物半导体层的一方的主面上的一部分；及异质接合区域，设置于所述氮化物半导体层的所述主面上的另外的一部分，所述氮化物半导体层具有：N型的纵型漂移区域，向所述主面露出；P型的沟道区域，与所述纵型漂移区域相邻，并向所述主面露出；及N型的源极区域，被所述沟道区域从所述纵型漂移区域隔开，并向所述主面露出，所述绝缘栅极部与将所述纵型漂移区域和所述源极区域隔开的所述沟道区域对向，所述异质接合区域与所述纵型漂移区域向所述主面露出的范围的至少一部分接触，是具有比所述纵型漂移区域的带隙宽的带隙的N型或I型的氮化物半导体。
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