[发明专利]干刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710824129.8 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107634007B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘清召;王久石;赵磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 11348 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种干刻蚀方法，涉及刻蚀工艺技术领域，主要目的是在含硅薄膜层刻蚀的过程中，不仅能够去除刻蚀残留，还能够减小对其他薄膜层的损伤，提高刻蚀质量。本发明的主要技术方案为：一种干刻蚀方法，包括：利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第一预设厚度；利用第二气体对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度，以消除所述含硅薄膜层中刻蚀掉所述第一预设厚度后产生的刻蚀残留；待所述刻蚀残留消除后，利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第三预设厚度，使所述第三预设厚度小于所述第一预设厚度；其中，所述第一气体包括氯气，所述第二气体包括氟化物气体。本发明主要用于对薄膜晶体管基板刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干刻蚀方法，其特征在于，包括：/n利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第一预设厚度；/n利用第二气体对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度，以消除所述含硅薄膜层中刻蚀掉所述第一预设厚度后产生的刻蚀残留；/n待所述刻蚀残留消除后，利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第三预设厚度，使所述第三预设厚度小于所述第一预设厚度，所述第三预设厚度为所述含硅薄膜层厚度的10％-30％；/n其中，所述第一气体包括氯气，所述第二气体包括氟化物气体，且所述第一气体对所述含硅薄膜层中部的刻蚀速率大于对所述含硅薄膜层边缘四周的刻蚀速率，所述第二气体对所述含硅薄膜层中部的刻蚀速率小于对所述含硅薄膜层边缘四周的刻蚀速率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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