[发明专利]形成欧姆接触的方法以及半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种形成欧姆接触的方法，在形成具有热稳定性的金属硅化物层后，再去除所述阻挡层和所述金属层，以暴露出所述金属硅化物层，采用大于等于第一预设温度的去离子水对所述晶圆进行第一次清洗，以将所述氧化物颗粒分解成小颗粒，再采用小于等于第二预设温度的去离子水对所述晶圆进行第二次清洗，所述第二次清洗的去离子水流量大于50L/min，水流的冲击力大，可将氧化物颗粒去除，利用不同温度、不同流量的水流对所述晶圆进行两次冲洗，具有更好的清洗效果，可以达到除去所述金属硅化物层上的氧化物颗粒的效果，有效的减少了所述金属硅化物层上的氧化物颗粒，使所述欧姆接触面变平滑，提高了器件的可靠性和良率。

主权项

一种形成欧姆接触的方法，其特征在于，所述形成欧姆接触的方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括一衬底以及依次形成于所述衬底预定区域上的金属层和阻挡层；对所述晶圆进行快速热退火处理，以在所述衬底与所述金属层的界面处形成金属硅化物层；去除所述阻挡层和所述金属层，以暴露出所述金属硅化物层，所述金属硅化物层上附着有氧化物颗粒；采用大于等于第一预设温度的去离子水对所述晶圆进行第一次清洗，所述第一次清洗的流量小于等于35L/min；以及采用小于等于第二预设温度的去离子水对所述晶圆进行第二次清洗，所述第二次清洗的流量大于等于50L/min，所述第二预设温度小于所述第一预设温度。