[发明专利]一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法在审

专利信息
申请号: 201710825386.3 申请日: 2017-09-14
公开(公告)号: CN107741576A 公开(公告)日: 2018-02-27
发明(设计)人: 李建华;陈佳文;徐立新;李夷渊;陈玉龙 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G01R33/06 分类号: G01R33/06
代理公司: 北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙)11639 代理人: 毛燕
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种微型非晶丝GMI磁传感器及其加工方法,属于磁传感器领域。采用MEMS技术将非晶丝与微结构线圈集成,加工步骤为(1)在Si衬底上溅射一层Cr/Cu种子层;(2)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成底层导线;(3)去胶;(4)将非晶丝固定到Cr/Cu种子层上;(5)在非晶丝两端电镀Cu;(6)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成微电感柱子;(7)涂胶、曝光、显影,电镀铜形成顶层导线;(11)去上层光刻胶,刻蚀种子层。(12)去下层光刻胶,刻蚀种子层。本发明克服了传统工艺制造的非晶丝GMI磁传感器体积大、阻抗一致性差的缺点,实现了以非晶丝为敏感元件的GMI磁传感器的微型化。
搜索关键词: 一种 微型 非晶丝 gmi 传感器 及其 加工 方法
【主权项】:
一种微型非晶丝GMI磁传感器,其特征在于:包括:硅衬底(1)、线圈、包裹非晶丝两端的铜(5)、非晶丝(6)、非晶丝两端引线(7)、微结构线圈两端引线(8);连接关系:在硅衬底(1)上固定安装线圈和包裹非晶丝两端的铜(5);非晶丝(6)固定在包裹非晶丝两端的铜(5)内,并悬空放置在线圈中间;所述线圈等间距分布,且线圈与非晶丝(6)形成夹角;包裹非晶丝两端的铜(5)的顶端侧壁上带有非晶丝两端引线(7);靠近包裹非晶丝两端的铜(5)的线圈顶端侧壁上带有微结构线圈两端引线(8)。
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