[发明专利]一种黑硅MWT背接触电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种黑硅MWT背接触电池的制备方法。黑硅MWT背接触电池的制备方法包括以下步骤：首先对硅片进行去损伤层处理，然后在硅片正面需要穿孔的位置印刷金属浆料，再对硅片进行黑硅制绒，印刷金属浆料的硅片表面被穿孔，未印刷金属浆料的硅片表面形成规则的纳米陷光结构，最后再依次进行扩散、镀膜、印刷、烧结、激光划线隔离工艺。本发明中通过印刷金属浆料配合黑硅制绒实现硅片的穿孔，省去激光打孔工序，此方案操作简单，设备投入低，无需激光打孔设备，最主要的是可以避免因激光打孔带来的碎片率升高，良率下降的问题；同时匹配黑硅制绒，可进一步提升电池转换效率约0.4%，相比传统的MWT背接触电池制作工艺，其单瓦成本可下降10~15%。

主权项

1.一种黑硅MWT背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、对多晶硅硅片表面进行去损伤层处理；/nS2、在硅片表面需要开孔的位置印刷金属浆料；/nS3、将带金属浆料的硅片进行黑硅制绒，带有金属浆料的硅片表面被穿孔，没有金属浆料的硅片表面制备为黑硅纳米陷光结构，黑硅制绒方法使用金属离子辅助刻蚀法；/nS4、将制备好的带有穿孔的黑硅硅片进行扩散，形成PN结；/nS5、再依次进行镀膜、印刷、烧结、激光划线隔离工艺；/n金属浆料由纳米银颗粒、树脂、有机溶剂及其它组成；按照质量百分比，纳米银颗粒为5%~30%、树脂为40%~60%、有机物载体为10%~40%，其它为0%~15%；所述有机物载体按重量百分比分为乙基纤维素1~20%，丁基卡必醇醋酸酯、邻苯二甲酸二辛酯、二乙二醇丁醚中任一种或组合30~50%、萜品醇30~69%；/n所述步骤S3中金属离子辅助刻蚀法具体为：（1）将带有金属浆料的多晶硅硅片置于HF、H